Väitös mikro- ja nanotekniikan alalta, DI Henri Vahlman

2018-04-20 12:00:00 2018-04-20 23:59:59 Europe/Helsinki Väitös mikro- ja nanotekniikan alalta, DI Henri Vahlman Väitöksen nimi on “Light-induced degradation due to Cu precipitation in crystalline silicon: Modeling and impact on PERC solar cells” http://elec.aalto.fi/fi/midcom-permalink-1e82ce3629eb4b42ce311e888da11fc08702dec2dec Maarintie 8, 02150, Espoo

Väitöksen nimi on “Light-induced degradation due to Cu precipitation in crystalline silicon: Modeling and impact on PERC solar cells”

20.04.2018 / 12:00
Sali TU1, Maarintie 8, 02150, Espoo, FI

Kustannuskilpailukykyisiä aurinkokennoja tarvitaan hiilineutraaliuden ja kansainvälisten ilmastotavoitteiden saavuttamiseksi. Valaistuksen alla tapahtuva degradaatio kuitenkin estää piiaurinkokennojen täyden potentiaalin hyödyntämisen.

Tässä työssä tutkittiin valodegradaatioilmiötä, jonka aiheuttaa teollisissa tuotantoympäristöissä yleisenä epäpuhtautena esiintyvä kupari. Työn tulokset mahdollistavat kupariepäpuhtauden tunnistamisen aurinkokennojen tuotantolinjoilla. Simulaatioiden avulla saatiin tietoa ilmiön perimmäisestä syystä, ja siitä, kuinka degradaatio vähenee tietyillä materiaaliparametreilla.

Työn tulokset mahdollistavat kontaminaation nopean tunnistamisen, mikä vähentää tarpeettomia viiveitä tuotannossa. Lisäksi työn pohjalta voidaan kehittää strategioita degradaation vähentämiseen valitsemalla materiaaliparametrit sopivasti. Nämä tulokset edistävät aurinkosähkön hinnanlaskutavoitetta, ja tätä kautta siirtymistä puhtaisiin energiajärjestelmiin.

Vastaväittäjänä toimii Dr. Gudrun Kissinger, Institute for High Performance Microelectronics, Saksa

Valvojana on professori Hele Savin Aalto-yliopiston sähkötekniikan korkeakoulu, elektroniikan ja nanotekniikan laitos.

Väitöskirjan verkkosivu
Väitöstiedote (pdf.)
Väittelijän yhteystiedot: Henri Vahlman, 050-4318869, henri.vahlman@aalto.fi, Tietotie 3, 02150 Espoo